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Davon werde sich sein Unternehmen eine große Scheibe abschneiden. "Wir wollen den Markt formen."
Als weltweit erster Anbieter könne Infineon in seinem österreichischen Werk in Villach GaN-Chips auf Wafern mit 300 Millimetern Durchmesser produzieren, erläuterte Hanebeck. Auf jede dieser Scheiben passten 2,3 Mal mehr Chips als bei der bisherigen 200-Millimeter-Technologie. Gleichzeitig erlaube das neue Verfahren, auf Anlagen zur Herstellung klassischer Silizium-Chips mit geringen Anpassungen auch GaN-Halbleiter zu fertigen.
Dies werde den Preisrückgang bei GaN-Chips beschleunigen, die bisher ein Vielfaches vergleichbarer Silizium-Halbleiter kosteten. Der Grund für den höheren Preis seien die technischen Herausforderungen bei der Produktion. "Das Trägermaterial Silizium und Galliumnitrid mögen einander nicht. Dadurch entstehen Spannungen an der Grenzschicht. Dieser Stress ist so groß, als wenn Sie vier Elefanten mit jeweils fünf Tonnen Gewicht auf eine Ein-Eurocent-Münze stellen."
Mit Hilfe von GaN-Chips können kleinere und leichtere Ladegeräte gebaut werden, wie etwa für Laptops und Smartphones oder Elektroautos. Auch in Solarstrom-Anlagen oder beim Energiemanagement von Hochleistungsrechnern für Künstliche Intelligenz (KI) kommen sie zum Einsatz.
VILLACH - ÖSTERREICH: FOTO: APA/GERT EGGENBERGER
